TSM3N80CI C0G

Taiwan Semiconductor(台湾半导体) 电子元器件分类

N-Ch 800V 3A 32W 4, 2R ITO220

通孔 N 通道 3A（Tc） 94W（Tc） ITO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 800V 3A ITO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin3+Tab ITO-220 Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin3+Tab ITO-220 Tube

Win Source:
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA

TSM3N80CI C0G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 32 W

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 696pF @25VVds

下降时间 41 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ITO-220-3

外形尺寸

封装 ITO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead free

TSM3N80CI C0G引脚图与封装图

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