TT8J3TR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体主动器件

TSST P-CH 30V 2.5A

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 2.5A 1.25W 表面贴装型 8-TSST

得捷:
4V DRIVE PCH+PCH MOSFET

贸泽:
MOSFET 4V Drive Pch+Pc Si MOSFET

TT8J3TR中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2.5A

输入电容Ciss 460pF @15VVds

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSST-8

外形尺寸

封装 TSST-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TT8J3TR引脚图与封装图

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