TPHR6503PL,L1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8Pin SOP

N-Channel 30V 150A Tc 960mW Ta, 170W Tc Surface Mount 8-SOP Advance 5x5

得捷:
MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP

贸泽:
MOSFET 30 Volt N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin SOP

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R

TPHR6503PL,L1Q中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 890 mΩ

耗散功率 3 W

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 10000pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 960mW Ta, 170W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5 mm

高度 0.95 mm

封装 SOP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPHR6503PL,L1Q引脚图与封装图

暂无图片

在线购买TPHR6503PL,L1Q

型号	制造商	描述	购买
TPHR6503PL,L1Q	Toshiba 东芝	Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8Pin SOP	搜索库存