TPN3R704PL,L1Q
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
耗散功率 2.67 W
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 5.3 ns
输入电容Ciss 2500pF @20VVds
下降时间 6.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 630mW Ta, 86W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSON-8
封装 TSON-8
材质 Silicon
工作温度 175 ℃
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TPN3R704PL,L1Q | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8Pin TSON Advance | 搜索库存 |