TPN3R704PL,L1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8Pin TSON Advance

N-Channel 40V 80A Tc 630mW Ta, 86W Tc Surface Mount 8-TSON Advance 3.3x3.3

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MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON

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TPN3R704PL,L1Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.67 W

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 5.3 ns

输入电容Ciss 2500pF @20VVds

下降时间 6.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 630mW Ta, 86W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSON-8

外形尺寸

封装 TSON-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175 ℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPN3R704PL,L1Q引脚图与封装图

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