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TPSMC36AHE3/57T

TPSMC36AHE3/57T

数据手册.pdf

TPSMC36AHE3/57T 瞬态抑制二极管TVS/ESD 30.8V 30.1A DO-214AB/SMC-36V 标记EVP

49.9V Clamp 30.1A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AB SMCJ


得捷:
TVS DIODE 30.8V 49.9V DO214AB


TPSMC36AHE3/57T中文资料参数规格
技术参数

工作电压 30.8 V

击穿电压 34.2 V

钳位电压 49.9 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 34.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 185℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPSMC36AHE3/57T引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
TPSMC36AHE3/57T Vishay Semiconductor 威世 TPSMC36AHE3/57T 瞬态抑制二极管TVS/ESD 30.8V 30.1A DO-214AB/SMC-36V 标记EVP 搜索库存
替代型号TPSMC36AHE3/57T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TPSMC36AHE3/57T

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AB/SMC

当前型号

TPSMC36AHE3/57T 瞬态抑制二极管TVS/ESD 30.8V 30.1A DO-214AB/SMC-36V 标记EVP

当前型号

型号: 1.5SMC36AHE3/9AT

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 30.8V 1.5kW 2Pin SMC T/R

TPSMC36AHE3/57T和1.5SMC36AHE3/9AT的区别

型号: 1.5SMC36A-M3/9AT

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 30.8V 1.5kW 2Pin SMC T/R

TPSMC36AHE3/57T和1.5SMC36A-M3/9AT的区别

型号: TPSMC36AHE3_A/H

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 30.8V 1.5kW Automotive 2Pin SMC T/R

TPSMC36AHE3/57T和TPSMC36AHE3_A/H的区别