输出接口数 2
供电电流 8 mA
耗散功率 450 mW
上升时间 30 ns
下降时间 30 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
耗散功率Max 450 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC
封装 SOIC
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
TSC426CBA | Maxim Integrated 美信 | 双电源MOSFET驱动器 Dual Power MOSFET Drivers | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: TSC426CBA 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: SOIC | 当前型号 | 双电源MOSFET驱动器 Dual Power MOSFET Drivers | 当前型号 | |
型号: TC4426EOA 品牌: 微芯 封装: SOIC 4.5V 1.5A 8Pin | 功能相似 | MICROCHIP TC4426EOA 双功率驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8 | TSC426CBA和TC4426EOA的区别 | |
型号: TC4427COA 品牌: 微芯 封装: SOIC 4.5V 1.5A 8Pin | 功能相似 | MICROCHIP TC4427COA 双功率芯片, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8 | TSC426CBA和TC4427COA的区别 | |
型号: MC33152DR2G 品牌: 安森美 封装: SOIC 18V 8Pin | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MC33152DR2G MOSFET Driver, 6.1V-18V supply, SOIC-8 新 | TSC426CBA和MC33152DR2G的区别 |