TK9J90E,S1ES
Toshiba
东芝
分立器件
TK9J90E,S1ES中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250 W
漏源极电压Vds 900 V
上升时间 40 ns
下降时间 35 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
TK9J90E,S1ES引脚图与封装图 
TK9J90E,S1ES引脚图
TK9J90E,S1ES封装图
TK9J90E,S1ES封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| TK9J90E,S1ES | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3Pin TO-3PN | 搜索库存 |