TPSMC33AHE3/57T中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 31.4 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB
外形尺寸
封装 DO-214AB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 185℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TPSMC33AHE3/57T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买TPSMC33AHE3/57T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TPSMC33AHE3/57T | Vishay Semiconductor 威世 | 1500 W 45.7 V 单向 表面贴装 瞬态电压抑制二极管 - DO-214AB | 搜索库存 |
替代型号TPSMC33AHE3/57T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TPSMC33AHE3/57T 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | 1500 W 45.7 V 单向 表面贴装 瞬态电压抑制二极管 - DO-214AB | 当前型号 |
| 型号： 1.5SMC33AHE3/9AT 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 28.2V 1.5kW 2Pin SMC T/R | TPSMC33AHE3/57T和1.5SMC33AHE3/9AT的区别 |
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| 型号： TPSMC33AHE3_A/H 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 28.2V 1.5kW Automotive 2Pin SMC T/R | TPSMC33AHE3/57T和TPSMC33AHE3_A/H的区别 |