TK100E08N1,S1XS

Toshiba 东芝分立器件

N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET,N-channel,80V,214A,TO220

立创商城:
N沟道 80V 100A

欧时:
Toshiba U-MOSVIII-H 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E08N1,S1XS, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装

儒卓力:
**N-CH 80V 100A 3,2mOhm TO220-3 **

TK100E08N1,S1XS中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 214A

输入电容Ciss 9000pF @40VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 255 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS-conform

海关信息

ECCN代码 EAR99

TK100E08N1,S1XS引脚图与封装图

TK100E08N1,S1XS引脚图

TK100E08N1,S1XS封装图

TK100E08N1,S1XS封装焊盘图

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