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TK58E06N1,S1XS

TK58E06N1,S1XS

数据手册.pdf
Toshiba 东芝 分立器件

N 通道 MOSFET,TKxxxx,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba

MOSFET ,


欧时:
Toshiba U-MOSVIII-H 系列 Si N沟道 MOSFET TK58E06N1,S1XS, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 105A 3-Pin TO-220


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine


儒卓力:
**N-CH 60V 58A 5,4mOhm TO220-3 **


TK58E06N1,S1XS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 105A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3400pF @30VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

TK58E06N1,S1XS引脚图与封装图
TK58E06N1,S1XS引脚图

TK58E06N1,S1XS引脚图

TK58E06N1,S1XS封装图

TK58E06N1,S1XS封装图

TK58E06N1,S1XS封装焊盘图

TK58E06N1,S1XS封装焊盘图

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