TLP293GB-TPL,ET
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
电子元器件分类
TLP293GB-TPL,ET中文资料参数规格
技术参数
电路数 1
正向电压 1.25 V
输入电流 50 mA
耗散功率 200 mW
上升时间 0.002 ms
隔离电压 3750Vrms min
正向电压Max 1.4 V
正向电流Max 50 mA
下降时间 0.003 ms
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SO-4
外形尺寸
封装 SO-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
海关信息
ECCN代码 EAR99
TLP293GB-TPL,ET引脚图与封装图 
TLP293GB-TPL,ET引脚图
TLP293GB-TPL,ET封装图
TLP293GB-TPL,ET封装焊盘图
在线购买TLP293GB-TPL,ET
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLP293GB-TPL,ET | Toshiba 东芝 | 4-SOIC 单向光耦 Viso=3750Vrms VFtyp=1.25V IF=50mA CTR=100-600% | 搜索库存 |