TLP183GB,E
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
电子元器件分类
TLP183GB,E中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 2µs, 3µs
通道数 1
正向电压 1.25 V
耗散功率 200 mW
上升时间 2 µs
隔离电压 3750Vrms min
正向电流 50 mA
输出电压Max 80 V
输入电流Min 50 mA
正向电压Max 1.4 V
正向电流Max 50 mA
下降时间 3 µs
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
引脚数 4
封装 SO-6
外形尺寸
封装 SO-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
TLP183GB,E引脚图与封装图
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在线购买TLP183GB,E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLP183GB,E | Toshiba 东芝 | Optocoupler AC-IN 1CH Transistor DC-OUT 4Pin SO | 搜索库存 |
替代型号TLP183GB,E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TLP183GB,E 品牌： Toshiba 东芝 封装： 4pin | 当前型号 | Optocoupler AC-IN 1CH Transistor DC-OUT 4Pin SO | 当前型号 |
| 型号： TLP183GB-TPL,E 品牌： 东芝 封装： 4pin | 类似代替 | TLP183GB-TPL,E 编带 | TLP183GB,E和TLP183GB-TPL,E的区别 |
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