TH58NYG3S0HBAI6
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
电子元器件分类
TH58NYG3S0HBAI6中文资料参数规格
技术参数
供电电流 30 mA
位数 8
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V
封装参数
引脚数 67
封装 VFBGA-67
外形尺寸
封装 VFBGA-67
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TH58NYG3S0HBAI6引脚图与封装图
暂无图片
在线购买TH58NYG3S0HBAI6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TH58NYG3S0HBAI6 | Toshiba 东芝 | NAND Flash Serial 1.8V 8G-bit 1G x 8 67Pin VFBGA | 搜索库存 |