TH58NVG2S3HBAI4
Toshiba
东芝
电子元器件分类
TH58NVG2S3HBAI4中文资料参数规格
技术参数
存取时间 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
封装 TFBGA-63
外形尺寸
封装 TFBGA-63
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
TH58NVG2S3HBAI4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买TH58NVG2S3HBAI4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TH58NVG2S3HBAI4 | Toshiba 东芝 | NAND闪存 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND EEPROM | 搜索库存 |