TK31E60X,S1XS

Toshiba 东芝分立器件

N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET N 通道，TK3x 系列，

### MOSFET ，Toshiba

欧时:
Toshiba DTMOSIV 系列 Si N沟道 MOSFET TK31E60X,S1XS, 30.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 30.8A 3-Pin TO-220

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin3+Tab TO-220

TK31E60X,S1XS中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 230 W

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 3000pF @300VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 230 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

TK31E60X,S1XS引脚图与封装图

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