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TLP291EO
Toshiba 东芝 电子元器件分类
TLP291EO中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.4 V

耗散功率 0.2 W

上升时间 4 µs

隔离电压 3750Vrms min

正向电流 50 mA

击穿电压 5 V

正向电压Max 1.4 V

正向电流Max 50 mA

下降时间 7 µs

工作温度Max 110 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SO-4

外形尺寸

封装 SO-4

其他

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

TLP291EO引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
TLP291EO Toshiba 东芝 Optocoupler; SMD; Channels: 1; Out: transistor; 3.75kV; SO4 搜索库存