TK8A60W,S5VXJ

Toshiba 东芝分立器件

MOSFET N 沟道 DTMOS 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET N 通道，TK8 和 TK9 系列，

欧时:
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK8A60W,S5VXJ, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Tube

TK8A60W,S5VXJ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 30 W

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 570pF @300VVds

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220

物理参数

材质 Silicon

其他

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK8A60W,S5VXJ引脚图与封装图

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