TK12Q60W,S1VQS

Toshiba 东芝分立器件

N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET ，

欧时:
Toshiba DTMOSIV 系列 Si N沟道 MOSFET TK12Q60W,S1VQS, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK TO-251封装

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 11.5A 3-Pin IPAK

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11.5A 3-Pin3+Tab IPAK

儒卓力:
**N-CH 600V 11,5A 340mOhm TO251-3 **

TK12Q60W,S1VQS中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 890pF @300VVds

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.65 mm

宽度 2.3 mm

高度 7.12 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

TK12Q60W,S1VQS引脚图与封装图

暂无图片

在线购买TK12Q60W,S1VQS

型号	制造商	描述	购买
TK12Q60W,S1VQS	Toshiba 东芝	N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba	搜索库存