TK6Q60W,S1VQS

Toshiba 东芝分立器件

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MOSFET N 通道，TK 6 和 TK 7系列，

欧时:
Toshiba DTMOSIV 系列 Si N沟道 MOSFET TK6Q60W,S1VQS, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK TO-251封装

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin IPAK Tube

TK6Q60W,S1VQS中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 390pF @300VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 60 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251

外形尺寸

长度 6.65 mm

宽度 2.3 mm

高度 7.12 mm

封装 TO-251

符合标准

RoHS标准

TK6Q60W,S1VQS引脚图与封装图

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