TBAT54C,LM
数据手册.pdfToshiba(东芝)
电子元器件分类
正向电压 580mV @100mA
耗散功率 320 mW
反向恢复时间 1.5 ns
正向电流 200 mA
最大正向浪涌电流(Ifsm) 1 A
正向电流Max 200 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 150℃ Max
耗散功率Max 320 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TBAT54C,LM封装图
TBAT54C,LM封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TBAT54C,LM | Toshiba 东芝 | Diode Schottky 30V 140mA Sot23 | 搜索库存 |