TK100E10N1,S1XS

Toshiba 东芝分立器件

N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET,N-channel,100V,207A,TO220

立创商城:
N沟道 100V 100A

欧时:
Toshiba U-MOSVIII-H 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E10N1,S1XS, 207 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

儒卓力:
**N-CH 100V 100A 3,4mOhm TO220-3 **

TK100E10N1,S1XS中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 255 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 207A

输入电容Ciss 8800pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 255 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

TK100E10N1,S1XS引脚图与封装图

TK100E10N1,S1XS引脚图

TK100E10N1,S1XS封装图

TK100E10N1,S1XS封装焊盘图

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