TK22E10N1,S1XS

Toshiba 东芝分立器件

N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET N 通道，TK2x 系列，

### MOSFET ，Toshiba

欧时:
Toshiba U-MOSVIII-H 系列 Si N沟道 MOSFET TK22E10N1,S1XS, 52 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

儒卓力:
**N-CH 100V 52A 13,8mOhm TO220-3 **

TK22E10N1,S1XS中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 72 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 22A

输入电容Ciss 1800pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 72 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS-conform

海关信息

ECCN代码 EAR99

TK22E10N1,S1XS引脚图与封装图

TK22E10N1,S1XS引脚图

TK22E10N1,S1XS封装图

TK22E10N1,S1XS封装焊盘图

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