TLP182E
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
电子元器件分类
上升/下降时间 2µs, 3µs
通道数 1
正向电压 1.25 V
耗散功率 200 mW
上升时间 2 µs
隔离电压 3750Vrms min
正向电流 50 mA
输出电压Max 80 V
正向电压Max 1.4 V
正向电流Max 50 mA
下降时间 3 µs
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
引脚数 4
封装 SO-6
封装 SO-6
工作温度 -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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