TK49N65W,S1FS

Toshiba 东芝分立器件

MOSFET N 沟道 DTMOS 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET ，

欧时:
Toshiba DTMOSIV 系列 Si N沟道 MOSFET TK49N65W,S1FS, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49.2A; 400W; TO247-3

儒卓力:
**N-CH 650V 49,2A 55mOhm TO247-3 **

TK49N65W,S1FS中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 6500pF @300VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 400 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

长度 15.94 mm

宽度 5.02 mm

高度 20.95 mm

封装 TO-247

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

TK49N65W,S1FS引脚图与封装图

TK49N65W,S1FS引脚图

TK49N65W,S1FS封装图

TK49N65W,S1FS封装焊盘图

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