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TK20J60W,S1VQO

TK20J60W,S1VQO

数据手册.pdf
Toshiba 东芝 分立器件

MOSFET DTMOS IV 系列,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba

MOSFET N 通道,TK2x 系列,

### MOSFET ,Toshiba


欧时:
Toshiba DTMOSIV 系列 Si N沟道 MOSFET TK20J60W,S1VQO, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube


TK20J60W,S1VQO中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 165 W

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1680pF @300VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 165 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

长度 15.5 mm

宽度 4.5 mm

高度 20 mm

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

TK20J60W,S1VQO引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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