TK10P60W,RVQS

Toshiba 东芝分立器件

MOSFET N 沟道 DTMOS 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET ，

欧时:
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10P60W,RVQS, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

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TK10P60W,RVQS

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin DPAK

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin2+Tab DPAK

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin2+Tab DPAK

儒卓力:
**N-CH 600V 9,7A 327mOhm TO252 **

TK10P60W,RVQS中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 80 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 700pF @300VVds

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 80 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 7.18 mm

高度 2.3 mm

封装 DPAK-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

TK10P60W,RVQS引脚图与封装图

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