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TSHG5510

TSHG5510

数据手册.pdf
Vishay Semiconductor(威世) 电子元器件分类

VISHAY  TSHG5510  红外发射器, 高速, 38 °, T-1 3/4 5mm, 100 mA, 1.45 V, 15 ns, 15 ns

The is a 830nm high speed Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero DH technology with high radiant power, high speed and moulded in a clear. This diode is suitable for high pulse current operation.

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High reliability
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High radiant intensity
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±38° Angle of half sensitivity
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Low forward voltage
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Good spectral matching with Si photo-detectors
TSHG5510中文资料参数规格
技术参数

额定功率 180 mW

针脚数 2

正向电压 1.45 V

波长 830 nm

视角 38°

峰值波长 830 nm

耗散功率 180 mW

上升时间 15 ns

测试电流 100 mA

正向电流 100 mA

正向电压Max 1.45 V

正向电流Max 100 mA

下降时间 15 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 180 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 T-1

外形尺寸

高度 4.4 mm

封装 T-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Communications & Networking, 通信与网络, 消费电子产品, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TSHG5510引脚图与封装图
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在线购买TSHG5510
型号 制造商 描述 购买
TSHG5510 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  TSHG5510  红外发射器, 高速, 38 °, T-1 3/4 5mm, 100 mA, 1.45 V, 15 ns, 15 ns 搜索库存
替代型号TSHG5510
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： TSHG5510

品牌： VISHAY 威世

封装：

当前型号

高速红外发光二极管， 830纳米， GaAlAs的双异质 High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero

当前型号

型号： 387

品牌： Adafruit Industries

封装：

功能相似

ADAFRUIT INDUSTRIES  387  红外线发光二极管, 超亮, 5MM

TSHG5510和387的区别