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TMBT3906,LM

TMBT3906,LM

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

TMBT3906,LM 编带

Bipolar BJT Transistor PNP 50V 150mA 250MHz 320mW Surface Mount SOT-23


立创商城:
PNP 50V 150mA


得捷:
TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Transistor for Low Freq. Amplification


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.2A 1000mW 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.2A 1000mW 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3


TMBT3906,LM中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 320 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TMBT3906,LM引脚图与封装图
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