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TD62004APG

TD62004APG

数据手册.pdf
Toshiba 东芝 电子元器件分类
TD62004APG中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 PDIP

外形尺寸

封装 PDIP

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TD62004APG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
TD62004APG Toshiba 东芝 PDIP NPN 50V 0.5A 搜索库存
替代型号TD62004APG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TD62004APG

品牌: Toshiba 东芝

封装:

当前型号

PDIP NPN 50V 0.5A

当前型号

型号: ULN2003A

品牌: 意法半导体

封装: DIP NPN 50V 500mA

功能相似

STMICROELECTRONICS  ULN2003A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

TD62004APG和ULN2003A的区别

型号: MC1413PG

品牌: 安森美

封装: DIP NPN 500mA

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MC1413PG  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

TD62004APG和MC1413PG的区别

型号: MC1413DR2G

品牌: 安森美

封装: SOIC NPN 50V 500mA

功能相似

NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

TD62004APG和MC1413DR2G的区别