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TK30A06N1,S4XS

TK30A06N1,S4XS

数据手册.pdf
Toshiba 东芝 分立器件

MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba

MOSFET N 通道,TK3x 系列,

### MOSFET ,Toshiba


欧时:
Toshiba U-MOSVIII-H 系列 Si N沟道 MOSFET TK30A06N1,S4XS, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin TO-220SIS


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


儒卓力:
**N-CH 60V 43A 15mOhm TO220FP **


TK30A06N1,S4XS中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 7.3 ns

输入电容Ciss 1050pF @30VVds

下降时间 7.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

TK30A06N1,S4XS引脚图与封装图
TK30A06N1,S4XS引脚图

TK30A06N1,S4XS引脚图

TK30A06N1,S4XS封装图

TK30A06N1,S4XS封装图

TK30A06N1,S4XS封装焊盘图

TK30A06N1,S4XS封装焊盘图

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