TK30A06N1,S4XS
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
耗散功率 25 W
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 7.3 ns
输入电容Ciss 1050pF @30VVds
下降时间 7.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
高度 15 mm
封装 TO-220
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
ECCN代码 EAR99
TK30A06N1,S4XS引脚图
TK30A06N1,S4XS封装图
TK30A06N1,S4XS封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TK30A06N1,S4XS | Toshiba 东芝 | MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列,Toshiba ### MOSFET 晶体管,Toshiba | 搜索库存 |