TPH7R506NH,L1QM
Toshiba
东芝
分立器件
TPH7R506NH,L1QM中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2.8 W
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 9.4 ns
输入电容Ciss 1785pF @30VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2800 mW
封装参数
引脚数 8
封装 SOP-8
外形尺寸
封装 SOP-8
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
海关信息
ECCN代码 EAR99
TPH7R506NH,L1QM引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| TPH7R506NH,L1QM | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 8Pin SOP Advance | 搜索库存 |