TK46E08N1
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
TK46E08N1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 80A
输入电容Ciss 2500pF @40VVds
额定功率Max 103 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 103 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Switching Voltage Regulators
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
TK46E08N1引脚图与封装图 
TK46E08N1引脚图
在线购买TK46E08N1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK46E08N1 | Toshiba 东芝 | MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列，Toshiba MOSFET 晶体管，Toshiba | 搜索库存 |
替代型号TK46E08N1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TK46E08N1 品牌： Toshiba 东芝 封装： TO-220-3 N-CH 80V 80A | 当前型号 | MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列，Toshiba MOSFET 晶体管，Toshiba | 当前型号 |
| 型号： AON7280 品牌： 万代半导体 封装： 8-PowerWDFN N-CH 80V 50A | 功能相似 | 80V,50A,N沟道MOSFET | TK46E08N1和AON7280的区别 |