TK31E60X,S1X

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 30.8A 3Pin TO-220

通孔 N 通道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220

贸泽:
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m VGS=10V

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 30.8A 3-Pin TO-220

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

TK31E60X,S1X中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 73 mΩ

耗散功率 230 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 3000pF @300VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TK31E60X,S1X引脚图与封装图

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