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TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

TK32E12N1,S1X 管装

通孔 N 通道 120 V 60A(Tc) 98W(Tc) TO-220


立创商城:
N沟道 120V 60A


得捷:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine


TK32E12N1,S1X中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 98 W

漏源极电压Vds 120 V

输入电容Ciss 2000pF @60VVds

耗散功率Max 98W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

TK32E12N1,S1X引脚图与封装图
TK32E12N1,S1X引脚图

TK32E12N1,S1X引脚图

TK32E12N1,S1X封装图

TK32E12N1,S1X封装图

TK32E12N1,S1X封装焊盘图

TK32E12N1,S1X封装焊盘图

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