TK40A06N1,S4X
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
TK40A06N1,S4X中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 8.4 mΩ
耗散功率 30 W
阈值电压 2V ~ 4V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1700pF @30VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
高度 15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TK40A06N1,S4X引脚图与封装图 
TK40A06N1,S4X引脚图
在线购买TK40A06N1,S4X
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK40A06N1,S4X | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3Pin TO-220SIS | 搜索库存 |