TK17N65W,S1F

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 650V 17.3A 3Pin TO-247

N-Channel 650V 17.3A Ta 165W Tc Through Hole TO-247

得捷:
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247

贸泽:
MOSFET Power MOSFET N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.3A 3-Pin TO-247

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TK17N65W,S1F中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 165 W

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1800pF @300VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 165W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.94 mm

宽度 5.02 mm

高度 20.95 mm

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK17N65W,S1F引脚图与封装图

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