锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TK55S10N1,LQ

TK55S10N1,LQ

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

TK55S10N1,LQ 编带

N-Channel 100V 55A Ta 157W Tc Surface Mount DPAK+


得捷:
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK


立创商城:
N沟道 100V 55A


贸泽:
MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m maxVGS=10V DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK


TK55S10N1,LQ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3280pF @10VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 157W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK55S10N1,LQ引脚图与封装图
暂无图片
在线购买TK55S10N1,LQ
型号 制造商 描述 购买
TK55S10N1,LQ Toshiba 东芝 TK55S10N1,LQ 编带 搜索库存