TK65G10N1,RQ

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 100V 136A 3Pin D2PAK

N-Channel 100V 65A Ta 156W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

TK65G10N1,RQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 156 W

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 5400pF @50VVds

额定功率Max 156 W

耗散功率Max 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK65G10N1,RQ引脚图与封装图

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TK65G10N1,RQ	Toshiba 东芝	Trans MOSFET N-CH 100V 136A 3Pin D2PAK	搜索库存