TPN13008NH,L1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

TSONAdvance N-CH 80V 40A

表面贴装型 N 通道 80 V 18A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）

得捷:
MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin TSON Embossed T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

TPN13008NH,L1Q中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 4.5 ns

输入电容Ciss 1600pF @40VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700mW Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSON-8

外形尺寸

封装 TSON-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPN13008NH,L1Q引脚图与封装图

暂无图片

在线购买TPN13008NH,L1Q

型号	制造商	描述	购买
TPN13008NH,L1Q	Toshiba 东芝	TSONAdvance N-CH 80V 40A	搜索库存