TPN2010FNH,L1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

8-TSON高级

表面贴装型 N 通道 250V 5.6A（Ta） 700mW（Ta），39W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）

得捷:
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

TPN2010FNH,L1Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 700mW Ta, 39W Tc

漏源极电压Vds 250 V

输入电容Ciss 600pF @100VVds

耗散功率Max 700mW Ta, 39W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSON-8

外形尺寸

封装 TSON-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

TPN2010FNH,L1Q引脚图与封装图

TPN2010FNH,L1Q引脚图

TPN2010FNH,L1Q封装图

TPN2010FNH,L1Q封装焊盘图

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