TK7P65W,RQ

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 650V 6.8A 3Pin DPAK

N-Channel 650V 6.8A Ta 60W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK

贸泽:
MOSFET Power MOSFET N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TK7P65W,RQ中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 660 mΩ

耗散功率 60 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 490pF @300VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK7P65W,RQ引脚图与封装图

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