TK72E08N1,S1X
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
TK72E08N1,S1X中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 4.3 mΩ
耗散功率 192 W
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
输入电容Ciss 5500pF @40VVds
额定功率Max 192 W
耗散功率Max 192W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TK72E08N1,S1X引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK72E08N1,S1X | Toshiba 东芝 | MOSFET 80V N-Ch PWR FET 157A 192W 81NC | 搜索库存 |