TK62N60W,S1VF

Toshiba(东芝) 分立器件

MOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF

N-Channel 600V 61.8A Ta 400W Tc Through Hole TO-247

得捷:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247

贸泽:
MOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TK62N60W,S1VF中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 33 mΩ

耗散功率 400 W

阈值电压 2.7V ~ 3.7V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 6500pF @300VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 400W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.94 mm

宽度 5.02 mm

高度 20.95 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TK62N60W,S1VF引脚图与封装图

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