TP86R203NL,LQ
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
TP86R203NL,LQ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 7 mΩ
耗散功率 1.9 W
阈值电压 2.3 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1400pF @15VVds
下降时间 3.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOP-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.68 mm
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TP86R203NL,LQ引脚图与封装图
暂无图片
在线购买TP86R203NL,LQ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TP86R203NL,LQ | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8Pin SOP | 搜索库存 |