TK11P65W,RQ

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3Pin DPAK

N-Channel 650V 11.1A Ta 100W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK

贸泽:
MOSFET Power MOSFET N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3-Pin DPAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TK11P65W,RQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 890pF @300VVds

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK11P65W,RQ引脚图与封装图

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