TK35A08N1,S4X
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
TK35A08N1,S4X中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 30 W
漏源极电压Vds 80 V
输入电容Ciss 1700pF @40VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
高度 15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TK35A08N1,S4X引脚图与封装图
暂无图片
在线购买TK35A08N1,S4X
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK35A08N1,S4X | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH 80V 55A 3Pin TO-220SIS | 搜索库存 |