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TPWR8004PL,L1Q

TPWR8004PL,L1Q

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

N-CH 40V 150A

N-Channel 40V 150A Tc 1W Ta, 170W Tc Surface Mount 8-DSOP Advance


得捷:
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP


贸泽:
MOSFET N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance


TPWR8004PL,L1Q中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.65 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 170 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 150A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 9600pF @20VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta, 170W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DSOP-Advance-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5 mm

高度 0.73 mm

封装 DSOP-Advance-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPWR8004PL,L1Q引脚图与封装图
TPWR8004PL,L1Q引脚图

TPWR8004PL,L1Q引脚图

TPWR8004PL,L1Q封装图

TPWR8004PL,L1Q封装图

TPWR8004PL,L1Q封装焊盘图

TPWR8004PL,L1Q封装焊盘图

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