TK16J60W,S1VQ

Toshiba(东芝) 分立器件

Mosfet n Ch 600V 15.8A To-3pn

N-Channel 600V 15.8A Ta 130W Tc Through Hole TO-3PN

得捷:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P

DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3PN

TK16J60W,S1VQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 130W Tc

阈值电压 2.7V ~ 3.7V

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 1350pF @300VVds

额定功率Max 130 W

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK16J60W,S1VQ引脚图与封装图

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