TK5A60W,S4VX

Toshiba(东芝) 分立器件

MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20NC

N-Channel 600V 5.4A Ta 30W Tc Through Hole TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine

TK5A60W,S4VX中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 380pF @300VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK5A60W,S4VX引脚图与封装图

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TK5A60W,S4VX	Toshiba 东芝	MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20NC	搜索库存