TK10A80E,S4X

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3Pin TO-220SIS

N-Channel 800V 10A Ta 50W Tc Through Hole TO-220SIS

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MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS

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TK10A80E,S4X中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 700 mΩ

耗散功率 50 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 2000pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK10A80E,S4X引脚图与封装图

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